ESS01是針對科研和工業環境中薄膜測量推出的波長掃描式、高精度自動變入射角度光譜橢偏儀，此系列儀器波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外到遠紅外。

ESS01采用寬光譜光源結合單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量。

ESS01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數（如，厚層厚度、表面為粗糙度等）和光學參數（如，折射率n、消光系數k、復介電常數ε等），也可用于測量塊狀材料的光學參數。

ESS01適合多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。

技術特點：

極寬的光譜范圍

采用寬光譜光源、寬光譜掃描的系統光學設計，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度，非常適合于對光譜范圍要求嚴格的場合。

靈活的測量設置

儀器的多個關鍵參數可根據要求而設定（包括：波長范圍、掃描步距、入射角度等），地提高了測量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。

原子層量的檢測靈敏度

采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量地納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。

非常經濟的技術方案

采用較經濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量，儀器整體成本得到有效降低。

應用領域：

ESS01系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。

ESS01適合很大范圍的材料種類，包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體地臨界點，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量到10微米左右）。

ESS01可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環保等，典型應用包括：

半導體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；

平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；

功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；

生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。

節能環保領域：LOW-E玻璃等。

ESS01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。典型應用包括：

玻璃新品研發和質量控制等。

技術指標：

注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。

可選配件：

NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片

NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片

VP01真空吸附泵

VP02真空吸附泵

樣品池